Infineon Technologies - SPB02N60C3ATMA1

KEY Part #: K6413918

[8392個在庫]


    品番:
    SPB02N60C3ATMA1
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPB02N60C3ATMA1 製品の属性

    品番 : SPB02N60C3ATMA1
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
    シリーズ : CoolMOS™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.8A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3 Ohm @ 1.1A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 3.9V @ 80µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 12.5nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 200pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 25W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO263-3-2
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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