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- 品番:
- STB11NM60N-1
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STB11NM60N-1 electronic components. STB11NM60N-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB11NM60N-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STB11NM60N-1 製品の属性
品番 :
STB11NM60N-1
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
シリーズ :
MDmesh™ II
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
450 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
850pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
90W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I2PAK
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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