IXFN520N075T2 価格設定（USD） [3863個在庫]
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- 250 pcs$8.53502
- 500 pcs$7.72675
- 品番:
- IXFN520N075T2
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 75V 480A SOT227.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFN520N075T2 electronic components. IXFN520N075T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN520N075T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN520N075T2 製品の属性
品番 :
IXFN520N075T2
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 75V 480A SOT227
シリーズ :
GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
75V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
480A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 8mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
545nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
41000pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
940W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227B
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
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