RW1E025RPT2CR 価格設定（USD） [1208286個在庫]
- 1 pcs$0.03384
- 8,000 pcs$0.03367
- 品番:
- RW1E025RPT2CR
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RW1E025RPT2CR electronic components. RW1E025RPT2CR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RW1E025RPT2CR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RW1E025RPT2CR 製品の属性
品番 :
RW1E025RPT2CR
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
75 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5.2nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
480pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
700mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-WEMT
パッケージ/ケース :
SOT-563, SOT-666
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- IPC90R500C3X1SA1
- BUK9214-80EJ
- GP1M004A090H
- IPD122N10N3GBTMA1
- IXFR55N50
- IRFH5303TRPBF
- IPB90N06S4L04ATMA1
- RSS100N03FU6TB
- TPCC8003-H(TE12LQM
- NTLUS3192PZTBG
- SI3853DV-T1-E3
- NTF3055L175T3G
- 2SK2963(TE12L,F)
- ZXMN6A08E6TC
- ZXM64N03XTC
- FDD3580
- NVHL040N65S3F
- FDS3612
- IPW60R055CFD7XKSA1
- FDS7096N3
- IRFSL3207
- NP90N055MUK-S18-AY
- AUIRF4104S
- IPP05N03LA
- IRFR024
- IRFL210TR
- STI5N52U
- IXTH6N90
- STD130N4F6AG
- AUIRF1018E
- STD150N3LLH6
- IRFI7446GPBF
- AUIRFU540Z
- IRFH5210TRPBF
- SQS460EN-T1_GE3
- RQ3E150MNTB1
- TJ15S06M3L(T6L1,NQ
- TK3P50D,RQ(S
- IPN70R1K0CEATMA1
- SISC185N06LX1SA1