Infineon Technologies - IPA126N10N3GXKSA1

KEY Part #: K6418992

IPA126N10N3GXKSA1 価格設定(USD) [86000個在庫]

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品番:
IPA126N10N3GXKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA126N10N3GXKSA1 製品の属性

品番 : IPA126N10N3GXKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 35A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 12.6 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 45µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2500pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 33W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-FP
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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