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- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 5A TSM.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J307T(TE85L,F) electronic components. SSM3J307T(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3J307T(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM3J307T(TE85L,F) 製品の属性
品番 :
SSM3J307T(TE85L,F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P-CH 20V 5A TSM
シリーズ :
U-MOSV
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
31 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
19nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1170pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
700mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TSM
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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