R8008ANJFRGTL 価格設定（USD） [42455個在庫]
- 1 pcs$0.92097
- 品番:
- R8008ANJFRGTL
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的 and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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- We specialize in Rohm Semiconductor R8008ANJFRGTL electronic components. R8008ANJFRGTL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R8008ANJFRGTL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
R8008ANJFRGTL 製品の属性
品番 :
R8008ANJFRGTL
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.03 Ohm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1100pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
195W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
LPTS
パッケージ/ケース :
SC-83
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