SPP06N80C3XKSA1 価格設定（USD） [42703個在庫]
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- 品番:
- SPP06N80C3XKSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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SPP06N80C3XKSA1 製品の属性
品番 :
SPP06N80C3XKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
900 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.9V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
41nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
785pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
83W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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