STMicroelectronics - STL18NM60N

KEY Part #: K6396648

STL18NM60N 価格設定(USD) [47002個在庫]

  • 1 pcs$0.83604
  • 3,000 pcs$0.83189

品番:
STL18NM60N
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STL18NM60N electronic components. STL18NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STL18NM60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STL18NM60N 製品の属性

品番 : STL18NM60N
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
シリーズ : MDmesh™ II
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.1A (Ta), 12A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 310 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1000pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3W (Ta), 110W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerFlat™ (8x8) HV
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.

  • SIHA20N50E-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 19A TO-220FP.

  • CSD19502Q5B

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 80V 100A 8SON.

  • STFW40N60M2

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 600V 34A TO-3PF.