Texas Instruments - CSD13201W10

KEY Part #: K6420806

CSD13201W10 価格設定(USD) [674757個在庫]

  • 1 pcs$0.05482
  • 3,000 pcs$0.04762

品番:
CSD13201W10
メーカー:
Texas Instruments
詳細な説明:
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Texas Instruments CSD13201W10 electronic components. CSD13201W10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD13201W10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD13201W10 製品の属性

品番 : CSD13201W10
メーカー : Texas Instruments
説明 : MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
シリーズ : NexFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.6A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 34 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 2.9nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 462pF @ 6V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.2W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 4-DSBGA (1x1)
パッケージ/ケース : 4-UFBGA, DSBGA

あなたも興味があるかもしれません