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Microsemi Corporation - APT1003RBLLG

KEY Part #: K6409007

APT1003RBLLG 価格設定（USD） [431個在庫]

  • 1 pcs$5.21789
  • 10 pcs$4.69478
  • 100 pcs$3.86031
  • 500 pcs$3.23430
品番:
APT1003RBLLG
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APT1003RBLLG electronic components. APT1003RBLLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT1003RBLLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT1003RBLLG 製品の属性

品番 : APT1003RBLLG
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
シリーズ : POWER MOS 7®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 694pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 139W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247 [B]
パッケージ/ケース : TO-247-3

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