RUM003N02T2L 価格設定（USD） [982367個在庫]
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- 品番:
- RUM003N02T2L
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RUM003N02T2L electronic components. RUM003N02T2L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RUM003N02T2L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RUM003N02T2L 製品の属性
品番 :
RUM003N02T2L
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
300mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1 Ohm @ 300mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
25pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
150mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
VMT3
パッケージ/ケース :
SOT-723
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