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- 品番:
- SI5906DU-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI5906DU-T1-GE3 electronic components. SI5906DU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5906DU-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI5906DU-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI5906DU-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
31 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.6nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
300pF @ 15V
パワー-最大 :
10.4W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® ChipFET™ Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® ChipFet Dual
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