NVMFS6B85NLT3G 価格設定（USD） [3077個在庫]
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- 品番:
- NVMFS6B85NLT3G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NVMFS6B85NLT3G electronic components. NVMFS6B85NLT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS6B85NLT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVMFS6B85NLT3G 製品の属性
品番 :
NVMFS6B85NLT3G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.6A (Ta), 19A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
46 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7.9nC @ 10V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
480pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.5W (Ta), 42W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN, 5 Leads
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