Diodes Incorporated - DMN2022UNS-7

KEY Part #: K6522244

DMN2022UNS-7 価格設定(USD) [347340個在庫]

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品番:
DMN2022UNS-7
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2022UNS-7 製品の属性

品番 : DMN2022UNS-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10.7A (Ta)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10.8 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 20.3nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1870pF @ 10V
パワー-最大 : 1.2W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerDI3333-8

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