メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET BVDSS 31V 40V POWERDI506
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
15.7A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
7.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
41.9nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
2082pF @ 25V
消費電力(最大) :
2.8W (Ta), 136W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI5060-8