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ON Semiconductor - FDR8702H

KEY Part #: K6522999

[4312個在庫]

    品番:
    FDR8702H
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FDR8702H electronic components. FDR8702H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDR8702H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDR8702H 製品の属性

    品番 : FDR8702H
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
    シリーズ : PowerTrench®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N and P-Channel
    FET機能 : Logic Level Gate
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3.6A, 2.6A
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 1.5V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 10nC @ 4.5V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 650pF @ 10V
    パワー-最大 : 800mW
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
    サプライヤーデバイスパッケージ : SuperSOT™-8

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