Vishay Siliconix - SISS71DN-T1-GE3

KEY Part #: K6420280

SISS71DN-T1-GE3 価格設定(USD) [178202個在庫]

  • 1 pcs$0.20756
  • 3,000 pcs$0.19490

品番:
SISS71DN-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SISS71DN-T1-GE3 electronic components. SISS71DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISS71DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISS71DN-T1-GE3 製品の属性

品番 : SISS71DN-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8
シリーズ : ThunderFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 23A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1050pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 57W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

あなたも興味があるかもしれません