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- 品番:
- TPC8221-H,LQ(S
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPC8221-H,LQ(S electronic components. TPC8221-H,LQ(S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPC8221-H,LQ(S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPC8221-H,LQ(S 製品の属性
品番 :
TPC8221-H,LQ(S
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.3V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
830pF @ 10V
パワー-最大 :
450mW
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP
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