RD3H200SNTL1 価格設定（USD） [176311個在庫]
- 1 pcs$0.20979
- 品番:
- RD3H200SNTL1
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- NCH 45V 20A POWER MOSFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RD3H200SNTL1 electronic components. RD3H200SNTL1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RD3H200SNTL1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RD3H200SNTL1 製品の属性
品番 :
RD3H200SNTL1
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
NCH 45V 20A POWER MOSFET
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
45V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
950pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
20W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- BUK753R4-30B,127
- NP180N055TUJ-E2-AY
- NVMFS5C645NLWFT3G
- AO4476A_103
- NTMFS4C06NT1G-001
- 5HP01C-TB-E
- VS-FA38SA50LCP
- ZXM62P03E6TC
- RJK2508DPK-00#T0
- 2SK4197FS
- SIE820DF-T1-GE3
- IPD60R600CPBTMA1
- AOD456
- AO4409
- SI4833ADY-T1-GE3
- SI3456CDV-T1-E3
- SI1037X-T1-E3
- AUIRFZ44ZS
- IRF7459TRPBF
- NTD60N02RT4G
- BS170_J35Z
- 2SK1374G0L
- FDC3612_F095
- IRFR3806PBF
- NTD3055L104G
- NTD3055-150G
- IRF6622TR1PBF
- IPP120N06NGAKSA1
- FQPF3N80
- IRFBC40
- IRF510S
- BUK953R2-40B,127
- STP11NM60N
- STD12NF06-1
- SUM90220E-GE3
- IPP45N06S4L08AKSA2
- PSMN3R5-40YSDX
- RQ1E100XNTR
- AO4455
- PSMN6R0-30YL,115