IXYS - IXFA7N60P3

KEY Part #: K6397951

IXFA7N60P3 価格設定(USD) [25692個在庫]

  • 1 pcs$1.76280
  • 10 pcs$1.57550
  • 100 pcs$1.29191
  • 500 pcs$0.99249
  • 1,000 pcs$0.83704

品番:
IXFA7N60P3
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 7A TO-263AA.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXFA7N60P3 electronic components. IXFA7N60P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFA7N60P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA7N60P3 製品の属性

品番 : IXFA7N60P3
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 600V 7A TO-263AA
シリーズ : HiPerFET™, Polar3™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.15 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 13.3nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 705pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 180W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263 (IXFA)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK35A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS.

  • TK5A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS.