IRFI4510GPBF 価格設定（USD） [43906個在庫]
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- 品番:
- IRFI4510GPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 100V 35A TO220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器 and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFI4510GPBF electronic components. IRFI4510GPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFI4510GPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFI4510GPBF 製品の属性
品番 :
IRFI4510GPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N CH 100V 35A TO220
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
35A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
13.5 mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
81nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2998pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
42W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB Full-Pak
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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