IXYS - IXFQ60N50P3

KEY Part #: K6397986

IXFQ60N50P3 価格設定(USD) [13359個在庫]

  • 1 pcs$3.54764
  • 10 pcs$3.19287
  • 100 pcs$2.62525
  • 500 pcs$2.19953
  • 1,000 pcs$1.91572

品番:
IXFQ60N50P3
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 60A TO3P.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXFQ60N50P3 electronic components. IXFQ60N50P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFQ60N50P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFQ60N50P3 製品の属性

品番 : IXFQ60N50P3
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 500V 60A TO3P
シリーズ : HiPerFET™, Polar3™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 60A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 96nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6250pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1040W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3P
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3

あなたも興味があるかもしれません
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK65A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 65A TO-220.

  • TK7A60W5,S5VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS.

  • 2SK3892

    Panasonic Electronic Components

    MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D.