説明 :
MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
FETタイプ :
N and P-Channel Complementary
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
590mA (Ta), 410mA (Ta)
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
950mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
6-XFDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
DFN1010B-6