SIDR390DP-T1-GE3 価格設定（USD） [73450個在庫]
- 1 pcs$0.53234
- 品番:
- SIDR390DP-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8D.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIDR390DP-T1-GE3 electronic components. SIDR390DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIDR390DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIDR390DP-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIDR390DP-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8D
シリーズ :
TrenchFET® Gen IV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
69.9A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
0.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
153nC @ 10V
Vgs（最大） :
+20V, -16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
10180pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
6.25W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8DC
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8
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