[12933個在庫]
- 品番:
- IPB06N03LA
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPB06N03LA electronic components. IPB06N03LA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB06N03LA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB06N03LA 製品の属性
品番 :
IPB06N03LA
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
50A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 40µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
22nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2653pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
83W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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