Infineon Technologies - IRFH8311TRPBF

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IRFH8311TRPBF 価格設定(USD) [177240個在庫]

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品番:
IRFH8311TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFH8311TRPBF 製品の属性

品番 : IRFH8311TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 32A (Ta), 169A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.35V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 66nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4960pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.6W (Ta), 96W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PQFN (5x6)
パッケージ/ケース : 8-TQFN Exposed Pad

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