Infineon Technologies - IPI90R340C3XKSA1

KEY Part #: K6416993

IPI90R340C3XKSA1 価格設定(USD) [22711個在庫]

  • 1 pcs$1.81464
  • 500 pcs$1.62030

品番:
IPI90R340C3XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 900V 15A TO-262.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-トライアック and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPI90R340C3XKSA1 electronic components. IPI90R340C3XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI90R340C3XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI90R340C3XKSA1 製品の属性

品番 : IPI90R340C3XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 900V 15A TO-262
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 900V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 15A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 340 mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 94nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2400pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 208W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO262-3
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.