技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
89A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
7.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
40nC @ 20V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-VSONP (5x6)