メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 60V 6A 6-UDFNB
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
6A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
36 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.5V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
9.3nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
550pF @ 10V
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-UDFNB (2x2)
パッケージ/ケース :
6-WDFN Exposed Pad