説明 :
MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
680mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
850 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1.3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
1.14nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
87pF @ 10V
消費電力(最大) :
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
DFN1006B-3