IPP032N06N3GXKSA1 価格設定（USD） [44747個在庫]
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- 1,000 pcs$0.39212
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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IPP032N06N3GXKSA1 製品の属性
品番 :
IPP032N06N3GXKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
120A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 118µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
165nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
13000pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
188W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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