NX7002BKR 価格設定（USD） [2506603個在庫]
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- 品番:
- NX7002BKR
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Nexperia USA Inc. NX7002BKR electronic components. NX7002BKR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NX7002BKR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NX7002BKR 製品の属性
品番 :
NX7002BKR
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
270mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.8 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
23.6pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
310mW (Ta), 1.67W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-236AB
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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