STMicroelectronics - STW29NK50ZD

KEY Part #: K6415655

[12335個在庫]


    品番:
    STW29NK50ZD
    メーカー:
    STMicroelectronics
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 500V 29A TO-247.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in STMicroelectronics STW29NK50ZD electronic components. STW29NK50ZD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW29NK50ZD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STW29NK50ZD 製品の属性

    品番 : STW29NK50ZD
    メーカー : STMicroelectronics
    説明 : MOSFET N-CH 500V 29A TO-247
    シリーズ : SuperMESH™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 29A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 130 mOhm @ 14.5A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 150µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 200nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±30V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6450pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 350W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247-3
    パッケージ/ケース : TO-247-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • FDD86380-F085

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 80V 50A DPAK.

    • FQD3P50TM

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK.

    • FDD5690

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK.

    • STT2PF60L

      STMicroelectronics

      MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6.

    • STT3PF20V

      STMicroelectronics

      MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-6.

    • SI4776DY-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO.