TK31V60W5,LVQ 価格設定（USD） [47544個在庫]
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- 品番:
- TK31V60W5,LVQ
- 詳細な説明:
- MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60W5,LVQ electronic components. TK31V60W5,LVQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK31V60W5,LVQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK31V60W5,LVQ 製品の属性
品番 :
TK31V60W5,LVQ
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
シリーズ :
DTMOSIV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
109 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 1.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
105nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3000pF @ 300V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
240W (Tc)
動作温度 :
150°C (TA)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-DFN-EP (8x8)
パッケージ/ケース :
4-VSFN Exposed Pad
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