メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
41A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
20V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
100 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3V @ 1mA (Typ)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
130nC @ 20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
2560pF @ 1000V
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ/ケース :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA