IRF60B217 価格設定（USD） [54371個在庫]
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- 品番:
- IRF60B217
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 60A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF60B217 electronic components. IRF60B217 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF60B217, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF60B217 製品の属性
品番 :
IRF60B217
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 60V 60A
シリーズ :
StrongIRFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
60A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9 mOhm @ 36A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.7V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
66nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2230pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
83W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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