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- 品番:
- STP26NM60ND
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 21A TO220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STP26NM60ND electronic components. STP26NM60ND can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP26NM60ND, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP26NM60ND 製品の属性
品番 :
STP26NM60ND
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
シリーズ :
FDmesh™ II
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
21A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
175 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
54.6nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1817pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
190W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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