RU1C002ZPTCL 価格設定（USD） [2258971個在庫]
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- 品番:
- RU1C002ZPTCL
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RU1C002ZPTCL electronic components. RU1C002ZPTCL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RU1C002ZPTCL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RU1C002ZPTCL 製品の属性
品番 :
RU1C002ZPTCL
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
200mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.2V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1.4nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
115pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
150mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
UMT3F
パッケージ/ケース :
SC-85
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