IXTU01N100 価格設定（USD） [50552個在庫]
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- 50 pcs$0.88955
- 品番:
- IXTU01N100
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTU01N100 electronic components. IXTU01N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTU01N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTU01N100 製品の属性
品番 :
IXTU01N100
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100mA (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
80 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 25µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.9nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
54pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
25W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-251
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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