Infineon Technologies - IPD30N08S2L21ATMA1

KEY Part #: K6416720

IPD30N08S2L21ATMA1 価格設定(USD) [161638個在庫]

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品番:
IPD30N08S2L21ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD30N08S2L21ATMA1 製品の属性

品番 : IPD30N08S2L21ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 75V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 30A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 20.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 80µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1650pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 136W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO252-3
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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