技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
16A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
29 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
21.2nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1875pF @ 20V
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース :
PowerPAK® 1212-8