Diodes Incorporated - DMP22D4UFO-7B

KEY Part #: K6416396

DMP22D4UFO-7B 価格設定(USD) [713684個在庫]

  • 1 pcs$0.05183

品番:
DMP22D4UFO-7B
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 530MA X2DFN0604.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMP22D4UFO-7B electronic components. DMP22D4UFO-7B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMP22D4UFO-7B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP22D4UFO-7B 製品の属性

品番 : DMP22D4UFO-7B
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET P-CH 20V 530MA X2DFN0604
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 530mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 0.4nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 28.7pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 820mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : X2-DFN0604-3
パッケージ/ケース : 3-XFDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.