Toshiba Semiconductor and Storage - TK12V60W,LVQ

KEY Part #: K6403148

[2458個在庫]


    品番:
    TK12V60W,LVQ
    メーカー:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    詳細な説明:
    MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK12V60W,LVQ electronic components. TK12V60W,LVQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK12V60W,LVQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TK12V60W,LVQ 製品の属性

    品番 : TK12V60W,LVQ
    メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
    説明 : MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
    シリーズ : DTMOSIV
    部品ステータス : Active
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 11.5A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 300 mOhm @ 5.8A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 3.7V @ 600µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 25nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±30V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 890pF @ 300V
    FET機能 : Super Junction
    消費電力(最大) : 104W (Tc)
    動作温度 : 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 4-DFN-EP (8x8)
    パッケージ/ケース : 4-VSFN Exposed Pad