IXFN140N25T 価格設定（USD） [4159個在庫]
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- 品番:
- IXFN140N25T
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFN140N25T electronic components. IXFN140N25T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN140N25T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN140N25T 製品の属性
品番 :
IXFN140N25T
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227
シリーズ :
GigaMOS™ HiPerFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
250V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
120A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
17 mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
255nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
19000pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
690W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227B
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
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