Vishay Siliconix - SIRA50DP-T1-RE3

KEY Part #: K6419466

SIRA50DP-T1-RE3 価格設定(USD) [113513個在庫]

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品番:
SIRA50DP-T1-RE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRA50DP-T1-RE3 製品の属性

品番 : SIRA50DP-T1-RE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8
シリーズ : TrenchFET® Gen IV
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 62.5A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 194nC @ 10V
Vgs(最大) : +20V, -16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 8445pF @ 20V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 6.25W (Ta), 100W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8

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