Vishay Siliconix - SI8424CDB-T1-E1

KEY Part #: K6421187

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品番:
SI8424CDB-T1-E1
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8424CDB-T1-E1 製品の属性

品番 : SI8424CDB-T1-E1
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 8V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.2V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 20 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 800mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 40nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2340pF @ 4V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 4-Microfoot
パッケージ/ケース : 4-UFBGA, WLCSP

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