FDS6681Z 価格設定（USD） [100615個在庫]
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- 品番:
- FDS6681Z
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 30V 20A 8-SO.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDS6681Z electronic components. FDS6681Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS6681Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDS6681Z 製品の属性
品番 :
FDS6681Z
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SO
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
260nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
7540pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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