Infineon Technologies - IRFZ34NL

KEY Part #: K6414086

[12876個在庫]


    品番:
    IRFZ34NL
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 55V 29A TO-262.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRFZ34NL electronic components. IRFZ34NL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFZ34NL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFZ34NL 製品の属性

    品番 : IRFZ34NL
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 55V 29A TO-262
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 55V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 29A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 40 mOhm @ 16A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 34nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 700pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 3.8W (Ta), 68W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-262
    パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRLR3103TRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.

    • IRLR3303TRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 35A DPAK.

    • IRLR2705TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

    • IRLR014NTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 10A DPAK.

    • IRLR120NTRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 10A DPAK.

    • IRLR014NTR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 10A DPAK.