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ON Semiconductor - FCMT299N60

KEY Part #: K6397487

FCMT299N60 価格設定（USD） [51760個在庫]

  • 1 pcs$0.75920
  • 3,000 pcs$0.75543
品番:
FCMT299N60
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 12A POWER88.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FCMT299N60 electronic components. FCMT299N60 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCMT299N60, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCMT299N60 製品の属性

品番 : FCMT299N60
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
シリーズ : SuperFET® II
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 12A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 299 mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1948pF @ 380V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : Power88
パッケージ/ケース : 4-PowerTSFN

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